摩根士丹利看空SK海力士前卖出超110万股, 韩国金融监督院发起访问
2024-10-089月23日，韩国金融监督院的一位发言东说念主示意，已条件摩根士丹利首尔分公司提交关连文献，以审查其9月15日下调SK海力士评级的参议申报是否征服了监管限定。发言东说念主称，韩国的老本商场法律辞让商场分析申报的发布者在24小时内来往其分析所触及的金融家具，以防内幕来往。 据韩联社报说念，9月13日摩根士丹利首尔分行下单卖出约101万股SK海力士股票。两天后，摩根士丹利分析师将这家存储芯片制造商的评级从超配下调至低配，方针价从26万韩元减至12万韩元，根由是“存储芯片商场景况运转恶化”。经由中秋假
SK海力士逾越专家量产12层堆叠HBM3E
2024-09-279月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士文书，最初业界运行量产12层堆叠的HBM3E內存，罢了了现存HBM居品中最大36GB容量的认识。 SK海力士暗意，高带宽內存（HBM）是一种高附加值、高性能的內存。与现存的DRAM居品比较，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数据处理速率显耀提高。该居品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的法规开发，HBM3E是HBM3的推广版。 SK海力士指出，现存的HBM3E最大容量为24GB，由8
SK海力士冲破HBM堆叠层数甩掉，MR-MUF和搀杂键合封装两手合手
2024-09-08此外，SK Hynix还在为HBM4之后的第七代HBM4E作念准备。 IT之家 9 月 4 日音问，SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年异构集成大家峰会”，发表了名为“面向东说念主工智能期间的 HBM 和先进封装手艺”的演讲，示意公司正在建筑 16 层 HBM4 内存。 Lee 在演讲中强调异构集成手艺（封装不同工艺的半导体芯片）垂死性日益突显，通过合理诈欺该手艺，海力士将进一步提高第 6 代 HBM4 家具（谋划来岁产量）的性能。 现
1C DRAM，SK hynix公共首发
2024-08-30（原标题：1C DRAM，SK hynix公共首发） 若是您但愿不错经常碰面，迎接标星保藏哦~ 起头：实质编译自skhynix，谢谢。 SK海力士本日秘书，公共初度胜仗建树出摄取第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向全国展现了10纳米出面的超细小化存储工艺时期。 SK海力士强调：“跟着10纳米级DRAM时期的代代相传，细小工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认同的第五代（1b）时期力为基础，普及了想象完成度，早先冲破了时
IT之家 5 月 30 日音问，韩国最大财阀之一 SK Inc.集团董事长 Chey Tae-won 因划分案被法院判决向爱妻 Roh Soh-yeong 支付 1.38 万亿韩元（IT之家备注：现时约 73.14 亿元东说念主民币）。音问一出，SK 集团的股价一度飙升 16%。 此前据韩国当地媒体报说念，Roh 曾条目得到约 2 万亿韩元以及 Chey 在 SK 集团的部分股份。最终的判决金额低于预期，大约不错诠释为何 SK 集团股价会出现如斯大幅度的高潮。今日收盘时，SK 集团股价仍高潮提
音尘称SK海力士将在1c DRAM分娩中采纳新式Inpria MOR光刻胶
2024-05-31音尘东说念主士称，SK Hynix量产的1c DRAM上有五个极紫外(EUV)层，其中一层将使用MOR绘图。 IT之家 5 月 30 日音尘，跟着 DRAM 微型化的不断激动，SK 海力士、三星电子等公司正在勤恳于于新材料的建树和垄断。 据 TheElec，SK Hynix 筹谋在第 6 代（1c 工艺，约 10nm）DRAM 的分娩中使用 Inpria 下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是 MOR 初度垄断于 DRAM 量产工艺。 音尘东说念主士称，SK Hynix 量产的 1c DRAM
SK海力士将在好意思国印第安纳州建造先进封装工场，并与当地扣问机构进行RandD联接
2024-04-05SK海力士秘书，将在好意思国印第安纳州西拉斐特建造适于东谈主工智能（AI）的存储器先进封装坐蓐基地，同期与好意思国普渡大学等当地扣问机构进行半导体扣问和开发联接，筹备向该口头投资38.7亿好意思元。在当地时辰4月3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、好意思国政府筹谋东谈主士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约典礼行径。 自昨年东谈主工智能市集快速发展后，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装也变得愈加蹙迫。当作HBM市集上掌持主动权的厂商，SK海力士为了加强时候指点力，接头到多数